MOS管導通電阻小，可以降低導通時的功耗。但無論什么元件器件，追求某項指標必會影響其它指標。以MOS管來說，高耐壓與低電阻是矛盾的，不可兼得，所以不能說導通電阻越小越好，因為這是犧牲其它性能獲得的。但是一般mos管額定電流越大,額定導通電阻也就越小。

（1）內阻的特點

創新高壓技術

低柵極電荷

定期額定雪崩

較強dv/dt能力

高電流峰值

參考參數：

5610    5.4A   600V    內阻最大值0.31    最小值0.28     封裝SOT-89

840S    8A     800V     內阻最大值0.9      最小值0.7       封裝TO-252、220、263、220F

4820N  9A     200V     內阻最大值0.26      最小值0.4     封裝TO-220

4810A    9A     100V   內阻最大值0.025      最小值0.002     封裝SOP-8

10N60H    9.5A    600V    內阻最大值0.73    最小值0.65       封裝TO-220、220F

6035A       11A    350V    內阻最大值0.48    最小值0.38     封裝TO-252、220

12N60H      12A  600V   內阻最大值0.65     最小值0.53     封裝TO-220、220F

12N65H       12A     650V   內阻最大值0.75     最小值0.63    封裝TO-220、220F

13N50H      13A     500V     內阻最大值0.48      最小值0.4    封裝TO-220、263、220F

6410A      15A     100V    內阻最大值0.09    最小值0.072      封裝TO-251、220

16N50H      16A     500V    內阻最大值0.38    最小值0.32    封裝TO-220F、3P、247

7610A       25A     100V     內阻最大值0.038    最小值0.032     封裝TO-251、252

3400    4.8A    30V   內阻0.034等

烜芯微產品參考表

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