為了構(gòu)成集成電路電阻，可以淀積一層具有阻值的薄膜在硅襯底上，然后運(yùn)用圖形曝光技術(shù)和刻蝕定出其圖樣，也可以在生長(zhǎng)于硅襯底上的熱氧化層上開(kāi)窗，然后寫(xiě)入（或是渙散）相反導(dǎo)電型雜質(zhì)到晶片內(nèi)，圖14.3閃現(xiàn)運(yùn)用后者方法構(gòu)成的兩個(gè)電阻的頂視圖和截面圖，一個(gè)是曲折型，另一個(gè)是直條型.

首要考慮直條型電阻．在距表面深為х處、平行于表面厚度dχ的p型材料薄膜層的微分電導(dǎo)dG（如B-B截面所示）為式

中w是直條的寬度，L是直條的長(zhǎng)度（假定先忽略端點(diǎn)的觸摸面積），μp是窄穴遷移率，p為摻雜的濃度，這個(gè)直條型電阻的悉數(shù)寫(xiě)入?yún)^(qū)的電導(dǎo)為

此處xi是結(jié)深度．假定"，的值（為空穴濃度的函數(shù)）和p(χ)散布是已知的，則由式(2)，可以求得悉數(shù)電導(dǎo)為

此處，一個(gè)正方形電阻的電導(dǎo)，也就是當(dāng)L＝w時(shí)，G=g．因此，電阻為

此處l/g通常用符號(hào)R口定義，稱(chēng)為薄層電阻（sheet resistance，又稱(chēng)為方塊電阻）．薄層電阻的單位是Q，但習(xí)慣上以歐／方塊（Ω／口）為單位.

由如圖14.3所示的掩模版定義出不同的幾何圖樣，可同時(shí)在一個(gè)集成電路中制造出許多不同阻值的電阻．因?yàn)閷?duì)所有電阻而言工藝步驟是相同的，因此將電阻值的大小分成兩部分是很方便的：由離子注入（或是擴(kuò)散）工藝決定薄層電阻(R□)；由圖樣尺寸決定L/W 例．一旦R口已知，電阻值可以由L/W的份額得知，或是由電阻圖樣中的方塊數(shù)目得知（每個(gè)方塊的面積為WXW）．端點(diǎn)觸摸面積會(huì)添加額定的電阻值至集成電路電阻中，就圖）4.3中類(lèi)型的電阻，每個(gè)端點(diǎn)觸摸對(duì)應(yīng)到大概o．65個(gè)方塊．對(duì)曲折型電阻而言，在曲折處的電場(chǎng)線散布不是均勻地跨過(guò)電阻的寬度，而是密布于內(nèi)側(cè)的轉(zhuǎn)角處．因此在曲折處的一個(gè)方塊并不精確地等于一個(gè)方塊，而是約為o．65個(gè)方塊.
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