場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)介

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)

(1)直流參數(shù)

飽和漏極電流IDSS   它可定義為：當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時(shí)，對(duì)應(yīng)的漏極電流。

夾斷電壓UP，它可定義為：當(dāng)UDS一定時(shí)，使ID減小到一個(gè)微小的電流時(shí)所需的UGS。

開(kāi)啟電壓UT，它可定義為：當(dāng)UDS一定時(shí)，使ID到達(dá)某一個(gè)數(shù)值時(shí)所需的UGS。

(2)交流參數(shù)

低頻跨導(dǎo)gm，它是描述柵、源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。

極間電容，場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)電極之間的電容，它的值越小表示管子的性能越好。

(3)極限參數(shù)

漏、源擊穿電壓，當(dāng)漏極電流急劇上升時(shí)，產(chǎn)生雪崩擊穿時(shí)的UDS。

柵極擊穿電壓，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，柵、源極之間的PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài)，若電流過(guò)高，則產(chǎn)生擊穿現(xiàn)象。

場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)

場(chǎng)效應(yīng)管具有放大作用，可以組成放大電路，它與雙極性三極管相比具有以下特點(diǎn)：

（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)UGS來(lái)控制ID；

（2）場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很高；

（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)。

下面我們通過(guò)表格把各種場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)和特性曲線表示出來(lái)：

場(chǎng)效應(yīng)管的作用

1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2.場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。

3.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。

4.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

5.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。
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