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          二極管、三極管、MOS管、橋堆

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        8. MOS管符號(hào)特性規(guī)則詳解
          • 發(fā)布時(shí)間:2021-09-13 18:31:38
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          MOS管符號(hào)特性規(guī)則詳解
          MOS管符號(hào)
          MOS管的英文全稱(chēng)叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此,MOS管有時(shí)被稱(chēng)為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。在一般電子電路中,MOS管通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。
          MOS管的構(gòu)造
          在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅(Si02)絕緣層膜,在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極G。這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道(NPN型)增強(qiáng)型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。圖1-1所示 A 、B分別是它的結(jié)構(gòu)圖和代表符號(hào)。
          同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的P+區(qū),及上述相同的柵極制作過(guò)程,就制成為一個(gè)P溝道(PNP型)增強(qiáng)型MOS管。圖1-2所示A 、B分別是P溝道MOS管道結(jié)構(gòu)圖和代表符號(hào)。
          MOS管的工作原理
          MOS管符號(hào)MOS管符號(hào)
          從圖1-3-A可以看出,增強(qiáng)型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵-源電壓VGS=0時(shí),即使加上漏-源電壓VDS,總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài),漏-源極間沒(méi)有導(dǎo)電溝道(沒(méi)有電流流過(guò)),所以這時(shí)漏極電流ID=0。
          此時(shí)若在柵-源極間加上正向電壓,圖1-3-B所示,即VGS>0,則柵極和硅襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個(gè)柵極指向P型硅襯底的電場(chǎng),由于氧化物層是絕緣的,柵極所加電壓VGS無(wú)法形成電流,氧化物層的兩邊就形成了一個(gè)電容,VGS等效是對(duì)這個(gè)電容充電,并形成一個(gè)電場(chǎng),隨著VGS逐漸升高,受柵極正電壓的吸引,在這個(gè)電容的另一邊就聚集大量的電子并形成了一個(gè)從漏極到源極的N型導(dǎo)電溝道,當(dāng)VGS大于管子的開(kāi)啟電壓VT(一般約為 2V)時(shí),N溝道管開(kāi)始導(dǎo)通,形成漏極電流ID,我們把開(kāi)始形成溝道時(shí)的柵-源極電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓,一般用VT表示。控制柵極電壓VGS的大小改變了電場(chǎng)的強(qiáng)弱,就可以達(dá)到控制漏極電流ID的大小的目的,這也是MOS管用電場(chǎng)來(lái)控制電流的一個(gè)重要特點(diǎn),所以也稱(chēng)之為場(chǎng)效應(yīng)管。
          MOS管的電壓極性和符號(hào)規(guī)則
          圖1-4-A 是N溝道MOS管的符號(hào),圖中D是漏極,S是源極,G是柵極,中間的箭頭表示襯底,如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管,箭頭向外表示是P溝道的MOS管。
          在實(shí)際MOS管生產(chǎn)的過(guò)程中襯底在出廠(chǎng)前就和源極連接,所以在符號(hào)的規(guī)則中;表示襯底的箭頭也必須和源極相連接,以區(qū)別漏極和源極。圖1-5-A是P溝道MOS管的符號(hào)。
          MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同,N溝道的類(lèi)似NPN晶體三極管,漏極D接正極,源極S接負(fù)極,柵極G正電壓時(shí)導(dǎo)電溝道建立,N溝道MOS管開(kāi)始工作,如圖1-4-B所示。同樣P道的類(lèi)似PNP晶體三極管,漏極D接負(fù)極,源極S接正極,柵極G負(fù)電壓時(shí),導(dǎo)電溝道建立,P溝道MOS管開(kāi)始工作,如圖1-5-B所示。
          MOS管符號(hào)
          MOS管符號(hào)
          MOS管符號(hào)
          MOS管符號(hào)
          MOS管符號(hào)
          MOS管符號(hào)
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