三極管和MOS管控制區(qū)別
經常看到在使用單片機I/O口驅動MOS管時，不是使用單片機I/O口直接驅動，而是經過一級三極管，使用三極管驅動MOS管。
三極管和MOS管控制區(qū)別
三極管和MOS管在驅動上是有區(qū)別的，三極管是電流驅動，而MOS管是電壓驅動，三極管的基極驅動電壓只要高于Ube的死區(qū)電壓即可控制三極管導通，
硅材料三極管的死區(qū)電壓一般為0.6V，鍺材料三極管的死區(qū)電壓一般為0.3V，所以控制三極管的電壓對于硅材料的三極管來說只要高于0.6V左右即可，而對于鍺材料的三極管來說只要高于0.3V左右即可。
而MOS管就不一樣了，MOS管是電壓型驅動，其驅動電壓必須高于其死區(qū)電壓Ugs的最小值才能導通，不同型號的MOS管其導通的Ugs最小值是不同的，
一般為3V~5V左右，最小的也要2.5V，但這也只是剛剛導通，其電流很小，還處于放大區(qū)的起始階段，一般MOS管達到飽和時的驅動電壓需6V~10V左右。
實際應用
了解三極管和MOS管在控制上的區(qū)別之后，那么單片機I/O口怎么控制三極管和MOS管呢？
單片機一般采用5V或3.3V供電，其I/O口高電平為5V或3.3V，處理器一般講究低功耗，如今使用3.3V供電的單片機較多，所以其I/O口高電平也只有3.3V。
（1）3.3V的電壓足夠可以驅動三極管，三極管屬于電流驅動，根據I/O口的電壓VIO以及限流電阻R1的值可以推算出基極電流，
Ib=（VIO-0.6V）/R1，選擇不同的電阻R1阻值，可以改變基極電流，只要VIO大于0.6V，想要使三極管工作在飽和區(qū)都可以，下圖為簡單的NPN三極管控制LED指示燈的原理。
（2）MOS管是電壓驅動，MOS管開啟最低驅動電壓為3V~5V左右，不同型號MOS管驅動電壓不同，一些小功率MOS管最低驅動電壓為2.5V左右，單片機I/O口可以直接驅動，
但是此時MOS管處于半導通狀態(tài)，內阻很大，驅動小電流負載可以這么使用。大電流負載就不可以這么使用了，內阻大，管子的功耗過大，很容易燒毀MOS管。
MOS管達到飽和狀態(tài)所需驅動電壓一般為6V~10V左右，3.3V的電壓不足以直接驅動MOS管使其飽和。因此，可以在I/O口的輸出端加一級三極管，使MOS管的驅動電壓變高。舉例說明，僅供參考，原理如下圖所示。
原理分析：當單片機I/O口為高電平時，NPN三極管Q5導通，直接將N-MOS管控制極G極拉低，MOS管截止，負載不工作；
當單片機I/O口為低電平時，NPN三極管Q5截止，電阻R12和R13將24V電源分壓得G極電壓為：24V*20K/（10K+20K）=8V，MOS管導通并達到飽和狀態(tài)，負載工作。
總結：三極管為電流驅動，較低的電壓就可以驅動三極管，而MOS管為電壓驅動，驅動電壓較高，單片機I/O口的電壓不足以驅動MOS管，所以經常使用三極管作為緩沖改變電壓，當然除了使用三極管之外還可以使用光耦等。
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