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  • 開(kāi)關(guān)電源調(diào)節(jié)頻率被限制的原因解析
    • 發(fā)布時(shí)間:2022-10-31 17:11:38
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    開(kāi)關(guān)電源調(diào)節(jié)頻率被限制的原因解析
    1、器件的限制
    對(duì)于開(kāi)關(guān)電源,在實(shí)際應(yīng)用中,不是給個(gè)驅(qū)動(dòng)就開(kāi),拿掉驅(qū)動(dòng)就關(guān)掉,有接通延遲時(shí)間(tdon),上升時(shí)間(tr),關(guān)斷延遲時(shí)間(tdoff)和下降時(shí)間tf。
    相應(yīng)的波形為:
    開(kāi)關(guān)電源 開(kāi)關(guān)頻率
    2、開(kāi)關(guān)損耗
    當(dāng)然,隨著器件的進(jìn)步,開(kāi)關(guān)管開(kāi)關(guān)速度會(huì)變得越來(lái)越快,特別是在低電壓和低功率應(yīng)用中。僅考慮設(shè)備本身的開(kāi)關(guān)速度,開(kāi)關(guān)頻率可能會(huì)很高,但實(shí)際并沒(méi)有,有開(kāi)關(guān)損耗的限制。
    開(kāi)關(guān)電源 開(kāi)關(guān)頻率
    可以看出,每當(dāng)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí),開(kāi)關(guān)管DS的電壓(Vds)與流過(guò)開(kāi)關(guān)管(Id)的電流之間就會(huì)有重疊時(shí)間,從而導(dǎo)致導(dǎo)通損耗和導(dǎo)通,關(guān)掉也是這個(gè)樣子。
    假設(shè)由開(kāi)關(guān)管中的每個(gè)開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的能量損耗(以Esw表示)是確定的,則開(kāi)關(guān)管中的開(kāi)關(guān)功率損耗為Psw = Esw * fs。顯然,開(kāi)關(guān)頻率越高,開(kāi)關(guān)損耗越大。
    開(kāi)關(guān)頻率為5M時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗是500K開(kāi)關(guān)損耗的10倍,這對(duì)于注重效率的開(kāi)關(guān)電源顯然是不可接受的。因此,開(kāi)關(guān)損耗是限制開(kāi)關(guān)頻率的第二個(gè)因素。
    3、磁性元件損耗
    繞組的趨膚效應(yīng)和臨近效應(yīng)。在變壓器的高頻運(yùn)行中,影響更為嚴(yán)重。使得繞組的渦流損耗增加。開(kāi)關(guān)頻率越高,繞組匝數(shù)越少。
    相應(yīng)繞組的交流阻抗會(huì)更高,但是繞組的長(zhǎng)度會(huì)更短。問(wèn)題似乎沒(méi)有那么大。諧振半橋應(yīng)用通常選擇200KHZ的頻率。因此,磁性成分的體積和損耗在更好的范圍內(nèi)。
    4、軟開(kāi)關(guān)的困難
    軟開(kāi)關(guān)無(wú)疑是解決開(kāi)關(guān)損耗的有效方法。關(guān)于軟交換的各種論文已經(jīng)提出了許多令人眼花繚亂的軟開(kāi)關(guān)方案。軟開(kāi)關(guān)似乎可以解決所有問(wèn)題。但是,實(shí)際的工程應(yīng)用不同于理論分析。
    實(shí)際的工程目標(biāo)是低成本,高效率和高可靠性。在實(shí)際工程中,需要添加大量輔助電路或非常精確的控制的軟開(kāi)關(guān)方法不是很好。由于它是樂(lè)觀的,因此業(yè)界最常用的軟開(kāi)關(guān)拓?fù)淙匀恢恍枰葡嗳珮蚝鸵恍┲C振拓?fù)?例如LLC)。
    關(guān)于提到的反激,但是即使有類(lèi)似的解決方案,需要考慮以上一些問(wèn)題,以確定它們是否適用于實(shí)際工程。
    5、高頻引起的一系列問(wèn)題
    假設(shè)已經(jīng)解決了上述問(wèn)題,則必須解決一系列工程問(wèn)題才能實(shí)現(xiàn)高頻。例如,在高頻下,電路的寄生參數(shù)通常會(huì)嚴(yán)重影響電源的性能,例如變壓器的一次側(cè)和二次側(cè)。
    寄生電容,變壓器漏感,PCB布線之間的寄生電感和寄生電容等),如何通過(guò)在一系列電壓和電流波形中甚至是寄生參數(shù)引起振動(dòng)和EMI問(wèn)題來(lái)消除寄生參數(shù)的影響電路服務(wù)是所有要研究的問(wèn)題。
    6、EMI和干擾使PCB布局更加困難
    EMI與開(kāi)關(guān)頻率沒(méi)有線性關(guān)系。在某些開(kāi)關(guān)頻率下,EMI濾波器的轉(zhuǎn)折頻率較高,但總體趨勢(shì)是,開(kāi)關(guān)頻率越高,EMI體積越小。開(kāi)關(guān)頻率越高,功率密度越高。
    在此階段真正阻礙功率密度提高的因素是散熱系統(tǒng),電磁設(shè)計(jì)(包括EMI濾波器和變壓器)和功率集成技術(shù)。仔細(xì)選擇開(kāi)關(guān)頻率,開(kāi)關(guān)頻率對(duì)整個(gè)變速器的功率密度有很大影響,并且不同的設(shè)備和拓?fù)洌罴验_(kāi)關(guān)頻率也是隨之變化的。
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