MOSFET電路模型的構(gòu)建
MOSFET在不同應(yīng)用場(chǎng)合使用的電路模型是不同的，要搞懂MOSFET作為數(shù)字開(kāi)關(guān)和模擬放大中的左右，還是得從MOSFET的特性曲線(xiàn)入手。
對(duì)于MOSFET，電流只有一種情況，就是流經(jīng)D/S之間的電路，記為IDS，電壓有VGS和VDS。MOSFET的特性I-V曲線(xiàn)有兩種情況：VGS-IDS和VDS-IDS。
前者稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)，后者稱(chēng)為輸出特性曲線(xiàn)。
輸出特性曲線(xiàn)
輸出特性曲線(xiàn)
輸出特性曲線(xiàn)
這里重點(diǎn)關(guān)注輸出特性曲線(xiàn)，我們將前面一段上升區(qū)定義為電阻區(qū)，或者線(xiàn)性區(qū)，后面一段平行直線(xiàn)定義為電流源區(qū)或者飽和區(qū)。
如果我們把問(wèn)題簡(jiǎn)化，直接用兩條直線(xiàn)對(duì)器件進(jìn)行建模：
前一段，這個(gè)MOSFET就等效為一個(gè)電阻，后一段等效為一個(gè)壓控的電流源，壓控的電壓為Ugs，壓控能力是一個(gè)平方關(guān)系，具體可參考半導(dǎo)體器件相關(guān)書(shū)籍。如果開(kāi)啟的電壓Ugs沒(méi)有達(dá)到MOSFET的閾值電壓Ut的話(huà)，這個(gè)時(shí)候MOSFET相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)路。
總結(jié)：
在實(shí)際的應(yīng)用過(guò)程中，MOSFET電阻區(qū)和截止區(qū)主要應(yīng)用在CPU等邏輯芯片中，而恒電流區(qū)應(yīng)用在基于MOSFET的信號(hào)放大電路中。
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