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          n溝道m(xù)os管與p溝道m(xù)os管介紹
          • 發(fā)布時(shí)間:2024-06-28 15:42:36
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          n溝道m(xù)os管與p溝道m(xù)os管介紹
          金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SemIConductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS集成電路。
          n溝道m(xù)os管和p溝道m(xù)os管結(jié)構(gòu)
          mos管 n溝道 p溝道
          上圖對(duì)比可知,對(duì)于P型MOSFET,其寄生體二極管的陽極與漏極相連,陰極與源極相連;而對(duì)于N型MOSFET,其寄生體二極管的陽極與源極相連,陰極與漏極相連。
          P型MOSFET和N型MOSFET的體二極管的陰陽極連接剛好相反。因此P型MOSFET和N型MOSFET,雖然從外觀上無法區(qū)分,但是用萬用表測(cè)試其寄生體二極管的陰陽極與漏源極的連接關(guān)系,便可區(qū)分開來。
          另外一種區(qū)分MOSFET是P型還是N型的方法是看開通該MOSFET,門極對(duì)源極是需要正電平還是負(fù)電平。
          對(duì)于N型MOSFET,若要將其開通,需要門極對(duì)源極(VGS)加一個(gè)正電壓(該電壓需要高于該MOSFET的門限電壓),例如+10V。而對(duì)于P型MOSFET,如要將其開通,需要門極對(duì)源極(VGS)加一個(gè)負(fù)電壓(該負(fù)電壓需要低于該MOSFET的門限電壓),例如-10V。
          MOS管的N溝道與P溝道之間的關(guān)系
          純半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能很差,但是可以通過加入一些特殊的雜質(zhì)增強(qiáng)其導(dǎo)電能力。N型MOSFET會(huì)引入額外可移動(dòng)的負(fù)電荷(電子),此時(shí)為N型(N溝道)參雜,在N型MOSFET中電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。P型MOSFET在半導(dǎo)體中產(chǎn)生帶正電荷的空穴,此時(shí)為P型(P溝道)參雜,在P型MOSFET中空穴為多數(shù)載流子,電子為少數(shù)載流子。
          n溝道m(xù)os管和p溝道m(xù)os管工作原理
          僅含有一個(gè)P--N結(jié)的二極管工作過程,如下圖所示,我們知道在二極管加上正向電壓時(shí)(P端接正極,N端接負(fù)極),二極管導(dǎo)通,其PN結(jié)有電流通過,這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí),N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端,而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng),從而形成導(dǎo)通電流。
          同理,當(dāng)二極管加上反向電壓(P端接負(fù)極,N端接正極)時(shí),這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓,正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端,負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端,電子不移動(dòng),其PN結(jié)沒有電流通過,二極管截止。
          mos管 n溝道 p溝道
          對(duì)于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(見圖1),在柵極沒有電壓時(shí),由前面分析可知,在源極與漏極之間不會(huì)有電流流過,此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài)(圖1a),當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極時(shí)(見圖1b),
          由于電場(chǎng)的作用,此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來涌向柵極,但由于氧化膜的阻擋,使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中(見圖1b),
          從而形成電流,使源極和漏極導(dǎo)通,我們也可以想象為兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝,柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭建了一座橋梁,該橋的大小由柵壓的大小決定。
          mos管 n溝道 p溝道
          圖2給出了P溝道的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作過程,其工作原理類似。
          n溝道m(xù)os管和p溝道m(xù)os管區(qū)別
          1、從外形上看:
          p溝道的mos管比同規(guī)格的n溝道的要粗一些;
          2、從導(dǎo)電性能看:
          p溝道和n溝道相比,前者要比后者的電阻低一些(當(dāng)然這只是一個(gè)方面)。
          3、從耐溫性看:
          一般來說,相同規(guī)格下同等材質(zhì)的情況下(如都是硅片),p溝道的耐高溫能力要強(qiáng)于n型。
          4、從穩(wěn)定性上比較:
          由于工藝的不同導(dǎo)致兩者之間的差異較大;
          5、從價(jià)格上分析:
          由于制作工藝不同、原材料的不同以及成本等因素的影響使得兩者的價(jià)格相差較大。
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