一、典型電路
1、電路1
說明：
GND-IN 為電源接口的負(fù)極
GND 為內(nèi)部電路的公共地
原理分析
正向接：
VCC-IN通過R1、R2、MOS體二極管，最后回到GND-IN;然后GS電壓升高，緊接著SD溝道形成；溝道電阻很小，將MOS體二極管短路。
反向接：MOS體二極管截至
2、電路2
說明：
GND-A-24V 為電源接口的負(fù)極
GND-A 為內(nèi)部電路的公共地
原理分析
正向接：
VCC-IN通過R1、R2 ，最后回到GND-IN;然后GS電壓升高，緊接著SD溝道形成，GND-A-24V便接在了GND-A上。
反向接：
雖然 MOS體二極管這時(shí)正向接，但是由于GND-A上端接的是我們的電路，電路的上端是VCC-A-24V-IN，所以還是無法通過；事實(shí)上GND-A-24V根本接不進(jìn)我們的電路以形成回路。
二、優(yōu)缺點(diǎn)
1、優(yōu)點(diǎn)
由于正向接導(dǎo)通時(shí)，MOS管Ron很小，壓降非常小，基本保證了GND和GND-IN等電位。
而串聯(lián)二極管會(huì)有一定的壓降。
2、缺點(diǎn)
電路復(fù)雜，價(jià)格也高。
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