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深圳市烜芯微科技有限公司
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CMOS晶體管的制造工藝流程
2020-01-02
CMOS晶體管的制造工藝流程在IC上制造的最復(fù)雜的元件是晶體管。晶體管具有各種類(lèi)型，例如CMOS，BJT，F(xiàn)ET。我們根據(jù)要求選擇在IC上實(shí)施的晶體
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功率MOSFET并聯(lián)時(shí)產(chǎn)生寄生振蕩的原因與解決方法
2019-12-31
功率MOSFET并聯(lián)時(shí)產(chǎn)生寄生振蕩的原因與解決方法功率MOS管即功率MOSFET，具有熱漂移小，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)功率小，開(kāi)關(guān)速度快，工作頻率高
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MOS管驅(qū)動(dòng)電阻器與MOS管柵極尖峰電壓的防護(hù)
2019-12-31
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻器與MOS管柵極尖峰電壓的防護(hù)與常規(guī)雙極晶體管不同，MOS管是電壓控制型器件，一般用于小電壓控制大電流的情況，包括開(kāi)關(guān)電源
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FET晶體管的類(lèi)型與MOS管工作原理應(yīng)用
2019-12-31
FET晶體管的類(lèi)型與MOS管工作原理應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)晶體管或FET是晶體管，其中輸出電流由電場(chǎng)控制。FET有時(shí)被稱(chēng)為單極晶體管，因?yàn)樗婕皢屋d波型操
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不同類(lèi)型的晶體管與功能應(yīng)用
2019-12-31
不同類(lèi)型的晶體管與功能應(yīng)用晶體管是一個(gè)有源元件，并且在所有電子電路中都在建立。它們用作放大器和開(kāi)關(guān)設(shè)備。作為放大器，它們用于高和低
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如何使用晶體管作為開(kāi)關(guān)與應(yīng)用
2019-12-31
如何使用晶體管作為開(kāi)關(guān)與應(yīng)用晶體管由威廉·肖克利（William Shockley）于1947 年發(fā)明。晶體管是一種三端半導(dǎo)體器件，可用于開(kāi)關(guān)應(yīng)用，
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什么是MOS控制晶閘管與工作應(yīng)用
2019-12-31
什么是MOS控制晶閘管與工作應(yīng)用MOS控制晶閘管由VAK Temple開(kāi)發(fā)。它是一個(gè)電壓控制器，晶閘管是完全可控的晶閘管。MOS控制晶閘管的操作與GT
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雙極結(jié)型晶體管的工作原理及應(yīng)用
2019-12-31
雙極結(jié)型晶體管的工作原理及應(yīng)用雙極結(jié)型晶體管使用電子和空穴這兩個(gè)電荷載流子。諸如場(chǎng)效應(yīng)晶體管之類(lèi)的單極晶體管僅使用一種電荷載流子。
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晶體管作為放大器-電路圖與工作原理
2019-12-30
晶體管作為放大器-電路圖與工作原理晶體管是三端子半導(dǎo)體器件，端子是E（發(fā)射極），B（基極）和C（集電極）。該晶體管可以在三個(gè)不同的區(qū)域
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IGBT絕緣柵雙極晶體管電路與特性
2019-12-30
IGBT絕緣柵雙極晶體管電路與特性IGBT是半導(dǎo)體器件，IGBT的縮寫(xiě)是絕緣柵雙極晶體管。它由具有大范圍雙極性載流能力的三個(gè)端子組成。IGBT的設(shè)
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晶體管用作開(kāi)關(guān)-雙極結(jié)晶體管-BJT作為開(kāi)關(guān)
2019-12-30
晶體管用作開(kāi)關(guān)-雙極結(jié)晶體管-BJT作為開(kāi)關(guān)晶體管用作開(kāi)關(guān)或雙極結(jié)晶體管或BJT作為開(kāi)關(guān)的工作原理：當(dāng)開(kāi)關(guān)處于OFF位置時(shí)，開(kāi)關(guān)提供開(kāi)路（無(wú)
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共源共柵放大器的工作原理與應(yīng)用
2019-12-30
共源共柵放大器的工作原理與應(yīng)用共源共柵放大器用于增強(qiáng)模擬電路的性能。共源共柵的利用是一種常見(jiàn)的方法，可用于晶體管以及真空管的應(yīng)用中