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        8. MOSFET短溝道效應(yīng),短溝道效應(yīng)影響介紹
          • 發(fā)布時(shí)間:2025-06-23 20:02:38
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          MOSFET短溝道效應(yīng),短溝道效應(yīng)影響介紹
          一、短溝道效應(yīng)概覽
          在半導(dǎo)體器件持續(xù)微型化的進(jìn)程中,當(dāng)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的導(dǎo)電溝道長度縮至十幾納米,乃至幾納米量級(jí)時(shí),晶體管會(huì)呈現(xiàn)出一系列獨(dú)特的物理效應(yīng),即短溝道效應(yīng)。這些效應(yīng)囊括了閾值電壓隨溝道長度縮減而降低、漏致勢壘降低、載流子表面散射、速度飽和、離子化以及熱電子效應(yīng)等多個(gè)方面,對(duì)MOSFET的性能產(chǎn)生深遠(yuǎn)且復(fù)雜的影響。
          二、基于能帶圖的深入解析
          以NMOS為例,當(dāng)僅在柵極施加電壓Vgs時(shí),Vgs會(huì)使柵極表面的能帶下移(如典型圖例所示),這有助于電子穿越溝道。然而,由于此時(shí)漏極未施加電壓,源極和漏極間的能帶位置保持不變,因此并無電流流過。而當(dāng)漏極電壓施加后,漏極處的能帶被下拉,進(jìn)而在源極-溝道-漏極之間構(gòu)建起能級(jí)差,電子得以沿著此路徑流動(dòng),形成電流。
          MOSFET短溝道效應(yīng)
          從能帶圖角度對(duì)短溝道效應(yīng)深入剖析可得:
          (一)漏電流增大
          對(duì)于短溝道MOS管,源極和漏極間距極小,致使溝道的能帶被下拉,這使得器件在截止?fàn)顟B(tài)下漏電流顯著增加。歸根結(jié)底是溝道勢壘降低,常溫下熱激發(fā)的電子更容易跨越勢壘,從源極遷移至漏極,對(duì)亞閾值漏電流影響頗為顯著。
          (二)漏致勢壘降低效應(yīng)(DIBL)
          一旦增大漏源電壓(Vds),鑒于源極和漏極間距過近,漏極勢壘的下降會(huì)引發(fā)溝道勢壘同步下降,進(jìn)而導(dǎo)致溝道電流Id對(duì)Vds的敏感性大幅提升,這便是業(yè)內(nèi)所熟知的漏致勢壘降低效應(yīng)(DIBL)。這一效應(yīng)在短溝道器件中極為突出,嚴(yán)重時(shí)可致使源漏穿通,使器件徹底失效。
          MOSFET短溝道效應(yīng)
          MOSFET短溝道效應(yīng)
          三、短溝道效應(yīng)對(duì)MOSFET器件性能的多維度影響
          (一)閾值電壓下降
          在短溝道MOSFET中,當(dāng)漏極電壓處于較高水平時(shí),源極和漏極電壓會(huì)對(duì)溝道內(nèi)的電荷分布產(chǎn)生顯著影響,導(dǎo)致閾值電壓與柵極長度密切相關(guān)且急劇下降。這種閾值電壓的不穩(wěn)定直接降低了器件的成品率,給半導(dǎo)體制造工藝帶來巨大挑戰(zhàn)。
          (二)漏致勢壘降低(DIBL)
          隨著漏源電壓的升高,漏襯反偏PN結(jié)空間電荷區(qū)擴(kuò)展,致使溝道的有效長度縮短。這一現(xiàn)象在短溝道器件中尤為凸顯,嚴(yán)重時(shí)會(huì)引發(fā)源漏穿通,使器件徹底失效,對(duì)器件的可靠性構(gòu)成嚴(yán)重威脅。
          (三)亞閾值系數(shù)(S)惡化
          短溝道效應(yīng)致使亞閾值電流攀升,進(jìn)而使亞閾值系數(shù)惡化。這會(huì)顯著影響器件的開關(guān)速度和功耗,降低電路的能效比,阻礙高性能集成電路的發(fā)展。
          (四)電流非飽和
          在短溝道器件中,漏極電流并不會(huì)隨著漏極電壓的持續(xù)增加而無限制地增大,而是會(huì)在達(dá)到一定值后趨于飽和。這主要?dú)w因于溝道縮短使得載流子速度飽和效應(yīng)變得顯著,這一特性改變了器件的傳統(tǒng)電流-電壓特性曲線,對(duì)電路設(shè)計(jì)提出新的要求。
          (五)熱載流子效應(yīng)
          隨著器件尺寸的不斷縮小,器件內(nèi)部的電場強(qiáng)度急劇增強(qiáng),尤其是在漏結(jié)附近形成強(qiáng)電場區(qū)域。這使得載流子獲得足夠能量成為熱載流子,并有可能注入到氧化層中,進(jìn)而導(dǎo)致器件性能退化,如carriermobility降低、thresholdvoltageshift等,嚴(yán)重影響器件的長期穩(wěn)定性和可靠性。
          (六)電流密度增加和電壓波動(dòng)加劇
          短溝道效應(yīng)引發(fā)電流密度顯著增加以及電壓波動(dòng)更加劇烈。短溝道意味著單位體積內(nèi)積聚的電子數(shù)量增多,致使電壓波動(dòng)幅度增大,進(jìn)而干擾電路的正常工作,增加電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和不確定性。
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