一、PIN 二極管

PIN 二極管是在 P 型半導體和 N 型半導體之間夾有一層本征半導體（或低濃度雜質(zhì)半導體）所構(gòu)成的晶體二極管。其中，“I”代表“本征”（Intrinsic）的含義。當 PIN 二極管的工作頻率超過 100MHz 時，由于少數(shù)載流子的存儲效應以及本征層中的載流子渡越時間效應，其將失去傳統(tǒng)的整流功能，轉(zhuǎn)而成為阻抗元件，且其阻抗值會隨著偏置電壓的變化而改變。具體表現(xiàn)為：在零偏置或直流反向偏置狀態(tài)下，本征區(qū)的阻抗相對較高；而在直流正向偏置時，因載流子注入本征區(qū)，使得本征區(qū)呈現(xiàn)低阻抗狀態(tài)。基于這一特性，PIN 二極管可作為可變阻抗元件，廣泛應用于高頻開關（如微波開關）、移相、調(diào)制、限幅等高頻電路中。

二、雪崩二極管

雪崩二極管是一種能夠在外部電壓作用下產(chǎn)生高頻振蕩的半導體器件。其工作原理在于利用雪崩擊穿現(xiàn)象向晶體注入載流子。由于載流子渡越晶片需要一定時間，導致電流相對于電壓出現(xiàn)滯后現(xiàn)象，即產(chǎn)生延遲時間。通過精確控制渡越時間，可在電流與電壓關系中形成負阻效應，進而產(chǎn)生高頻振蕩。雪崩二極管主要應用于微波領域的振蕩電路，為高頻信號的產(chǎn)生與傳輸提供重要支持。

三、隧道二極管（江崎二極管）

隧道二極管是一種以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料通常為砷化鎵或鍺，且 P 型區(qū)和 N 型區(qū)為高摻雜（即高濃度雜質(zhì)）區(qū)域。隧道電流源于簡并態(tài)半導體的量子力學效應。實現(xiàn)隧道效應需滿足以下三個條件：一是費米能級位于導帶和滿帶內(nèi)；二是空間電荷層寬度必須很窄（微米以下）；三是簡并半導體 P 型區(qū)和 N 型區(qū)中的空穴和電子在同一能級上具有交疊可能性。作為一種雙端子有源器件，隧道二極管的主要參數(shù)包括峰谷電流比（IP/PV），其中“P”代表“峰”，“V”代表“谷”。隧道二極管可在低噪聲高頻放大器、高頻振蕩器（工作頻率可達毫米波段）以及高速開關電路中得到應用。

四、快速關斷二極管（階躍恢復二極管）

快速關斷二極管是一種具有 PN 結(jié)的二極管，其結(jié)構(gòu)特點在于 PN 結(jié)邊界處具有陡峭的雜質(zhì)分布區(qū)，從而形成“自建電場”。在正向偏壓下，PN 結(jié)以少數(shù)載流子導電，并在 PN 結(jié)附近存在電荷存儲效應。當二極管反向偏置時，反向電流需要經(jīng)歷一段“存儲時間”才能降至最小值（反向飽和電流值）。而快速關斷二極管的“自建電場”能夠有效縮短存儲時間，使反向電流迅速截止，并產(chǎn)生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量，可設計出梳狀頻譜發(fā)生電路。快速關斷二極管主要用于脈沖電路和高次諧波電路中。

五、肖特基二極管

肖特基二極管是一種具有肖特基特性的“金屬 - 半導體結(jié)”二極管。其正向起始電壓較低，金屬層材料除常見的材料外，還可采用金、鉬、鎳、鈦等，半導體材料則多為 N 型硅或砷化鎵。肖特基二極管由多數(shù)載流子導電，因此其反向飽和電流相較于以少數(shù)載流子導電的 PN 結(jié)要大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存儲效應極小，其頻率響應主要受 RC 時間常數(shù)限制，這使得肖特基二極管成為高頻和快速開關應用的理想選擇，其工作頻率可高達 100GHz。此外，MIS（金屬 - 絕緣體 - 半導體）肖特基二極管還可用于制作太陽能電池或發(fā)光二極管。同時，肖特基二極管可作為續(xù)流二極管，在開關電源中的電感以及繼電器等感性負載中發(fā)揮續(xù)流作用。
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